Tecnologia di stampa per applicazioni nel campo dell'ingegneria elettronica (continua)
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La forza della serigrafia
Come esempio della capacità di rappresentare la forza della serigrafia, viene introdotta una mascherina di riproduzione che utilizza una versione a maglie fini in acciaio inossidabile e una stampa con una pasta d'argento su una lastra di vetro.
Dall'aspetto, L / S = 20 μ / 20 μ di riproduzione. Tuttavia, le proprietà fisiche richieste per le caratteristiche elettriche, ecc., Dovrebbero essere valutate. Questo dipende dalle specifiche del prodotto del target e dalle proprietà fisiche degli inchiostri e dei fanghi utilizzati. I valori limite fini risultanti varieranno. La cooperazione con il circuito integrato del componente Con l'evoluzione del terminale mobile, anche la magrezza del modulo LSI del dispositivo assemblato in esso è progredita. L'elemento di ricezione come il resistore (R), il condensatore (C) e l'induttore (L), che è una parte importante di esso, è studiato per essere cambiato dal caso di essere montato esternamente verso l'interno. I componenti R, C e L sono assemblati in un processo di formazione di un circuito stampato laminato utilizzando un processo di ispessimento. Ci sono due modi per farlo. Uno è quello di riempire i componenti del microchip pre-preparati nel circuito integrato come metodo per collegare il cablaggio. L'altro è un inchiostro che è formato in una sospensione utilizzando un materiale conduttore, un materiale resistivo, un materiale dielettrico, un materiale magnetico, o simili, ed è laminato mediante stampa serigrafica o simili, e sepolto insieme con il cablaggio. In alcuni casi, viene utilizzato un film o simile nello strato dielettrico e nello strato magnetico.
Indipendentemente dal fatto che i componenti stampati dalle effettive proprietà elettriche siano effettivamente nelle prestazioni dell'inchiostro in pasta. I materiali che possono essere applicati ai materiali sopra indicati sono limitati. Per produrre inchiostro è necessario sviluppare resine inorganiche e organiche di nano-sintesi. In effetti, queste parti di stampa sono fornite alla gamma di prodotti disponibili e sono limitate a solo una parte della situazione, che è lo status quo. Un altro esempio dell'applicazione più vicina è testare il metodo di stampa con l'obiettivo di ridurre il costo dei progetti di formazione dell'antenna per le schede IC senza contatto e le etichette RFID.
Indipendentemente dall'esempio applicativo, è generalmente accettato che le parti realizzate con metodi di stampa siano ampiamente utilizzate e si spera che in futuro i materiali e i processi verranno ulteriormente sviluppati.
Sfida ai transistor stampati
Recentemente, la ricerca e lo sviluppo sulla produzione di semiconduttori organici e dispositivi EL organici sono stati molto attivi. È ancora solo la fase di ricerca, senza contare che tutto il processo di realizzazione del dispositivo, interamente attraverso la stampa, può essere considerato una nuova sfida.
La struttura di base del (TFT) del transistor a film sottile è composta da quattro strati. Lo spessore dello strato semiconduttore dovrebbe essere di livello ultra-fine, l'elettrodo di drain della sorgente dovrebbe essere posizionato con precisione e l'isolamento del canale tra i due dovrebbe essere 5μ. Il film isolante della valvola deve essere il più sottile possibile, deve essere di livello ultra-fine e l'elettrodo della valvola non deve deviare dal canale (Fonte - tra elettrodi di drenaggio).
Al fine di evidenziare le prestazioni del TFT, il controllo della distanza tra gli elettrodi di source-drain (larghezza del canale) è estremamente importante per lo spessore dello strato di semiconduttore e lo strato di film isolante. La fabbricazione di transistor organici è quasi interamente un processo di fotolitografia. Pertanto, le sue prestazioni pratiche non sono sufficienti ed è nella fase di ricerca e produzione di prova. Ciò è dovuto ai vincoli sui materiali degli strati e ai limiti del processo di cui sopra, nonché alle scarse prestazioni dei transistor al silicio.
Inoltre, se si desidera utilizzare il processo di produzione di transistor organici per ottenere il costo più basso, tutti i tentativi di stampa, la soglia è ancora più elevata. Quando gli strati sono sovrapposti al metodo di stampa, il controllo dello spessore del film e il controllo di isolamento del canale sopra menzionati sono piuttosto difficili rispetto alla fotolitografia in termini di accuratezza dello stampaggio (vedere Tabella 4).
Rispetto ai componenti riceventi di R, C, L, ecc. Sopra menzionati, la difficoltà nel fabbricare un componente attivo come un transistor non è solo l'accuratezza della modellazione. Ciò è dovuto alle caratteristiche elettriche dello strato semiconduttore, cioè, per migliorare la mobilità di elettroni e fori. Basta usare un inchiostro semiconduttore per trasferirlo, non è abbastanza. Il lavoro da svolgere su di esso consiste nello studio del metodo per migliorare la mobilità durante il trasferimento dell'inchiostro o dopo il trasferimento dell'inchiostro e quale metodo viene utilizzato per fare in modo che il materiale semiconduttore attenda l'orientamento. Definire questo un processo chiamato "film auto-organizzativo" è diventato un argomento di ricerca. Ci vorrà del tempo per raggiungere un livello pratico, e ci aspettiamo che i risultati delle sue ricerche escano presto.
Conclusione
Ho parlato di un certo numero di esempi e ho visto il marchio tecnologico ad alta definizione che ora è pratico. Per riassumere, come mostrato in (Tabella 5), la riproduzione di vari layout di stampa e la loro larghezza di riga minima. Come già menzionato, la larghezza della linea minima varia a seconda dell'applicazione. Questa tabella mostra i valori più comuni per la riproduzione dell'immagine. Soprattutto nel campo delle applicazioni di ingegneria elettronica, la finezza effettiva è inferiore a quella indicata nella tabella in base alle caratteristiche e agli standard di precisione richiesti per vari prodotti target.
Tuttavia, la tendenza di basso costo, ampia area e flessibilità dei prodotti di ingegneria elettronica continuerà a progredire in futuro. Con questa domanda, aumenteranno anche le aspettative per il processo di stampa. Finché lo sviluppo di materiali di inchiostro viene utilizzato in modo condizionale, il progresso della tecnologia di controllo delle proprietà dell'interfaccia, ecc., Spera fortemente che l'arte della stampa apporti maggiori contributi nel campo delle applicazioni di ingegneria elettronica.

